Micron y Nanya desarrollan DRAM en 42nm

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Micron y Nanya desarrollan DRAM en 42nm

Micron Technology y Nanya Technology Corp. anunciaron el lunes que habían desarrollado conjuntamente un dispositivo de 2 Gb de memoria DDR3 de cobre utilizando su nueva tecnología de DRAM basada en el proceso de fabricación de 42nm.

Por la reducción de tamaño, el nuevo dispositivo de memoria DDR3 2Gb 42nm ofrece un mejor rendimiento de memoria capaz de alcanzar hasta 1866MHz. Además, el pequeño tamaño del chip, junto con la densidad de 2 GB del dispositivo de 42nm permite a los módulos DDR3 llegar a capacidades de hasta 16GBs.

El nuevo proceso de 42nm ahora tiene como voltaje estándar 1.35V, en comparación con 1,5 V de las generaciones anteriores. Con los requisitos de memoria cada vez mayores en los servidores, se ha estimado que el consumo energético de la memoria puede ser de hasta 21W por módulo. El uso de 1.35V puede proporcionar un ahorro de hasta un 30% en aplicaciones de servidor, reduciendo los requisitos de alimentación y refrigeración.

El muestreo chips de memoria DDR3 de 2Gb a 1866MHz de tecnología de 42nm está programado para comenzar en el segundo trimestre de 2010, con una aceleración de la producción prevista para el segundo semestre del año.

“Con el paso a 42nm – y con un proceso de 30 nm siendo desarrollado en nuestro equipo de I & D en Boise fab – la experiencia de Micron en la metalización de cobre nos ha permitido permanecer en la vanguardia del proceso de fabricación de DRAM. La adición de este nuevo dispositivo de 2Gb 42nm a nuestra línea de productos DRAM fortalece nuestra cartera de soluciones de memoria para los clientes finales”, dijo Robert Feurle, vicepresidente de marketing de DRAM de Micron.

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