Samsung estaria preparando un smartphone con 3GB de memoria DDR3

Samsung estaria preparando un smartphone con 3GB de memoria DDR3

Samsung habría visto filtrado un futuro smartphone en fase de prototipo en pruebas etiquetado como “3Gb RAM“.

La fuente de esta noticia, SamMobile, confirma lo indicado en la etiqueta y que en su interior alberga nada menos que 3 GB de memoria RAM DDR3. La misma fuente concluye afirmando que Samsung cambiará la línea de diseño y procederá a la eliminación del botón físico.

Por ahora no se sabe mucho más, sólo que estos prototipos verían la luz el próximo año, pudiendo tratarse del nuevo Samsung Galaxy S IV (al menos en lo que a hardware se refiere) o el próximo Galaxy Nexus. No se explica este agregado en un smartphone, puesto que cualquier equipo Android  con 1GB de memoria es mas que suficiente.

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