Samsung Aumenta la Producción de Memorias DDR3 40 nm

Samsung Aumenta la Producción de Memorias DDR3 40 nm

El importante fabricante de DRAM (y NAND), Samsung Electronics, ha anunciado que está aumentando la producción de chips de memoria DDR3 de 40nm como respuesta a la mayor demanda proveniente de fabricantes de servidores, impulsado por la introducción relativamente reciente de los procesadores Intel Serie Xeon 5600.

Permitiendo el ahorro energético de hasta un 40% en comparación con las DRAM fabricadas en 60nm, las DDR3  de Samsung vienen en capacidades de 1GB, 2GB y 4GB y son utilizadas para la fabricación de módulos de memoria de 1GB, 2GB, 4GB, 8GB, 16GB y 32GB.

“Cuando se utilizan junto con los procesadores Xeon de Intel,  las DDR3 mejoran drásticamente la eficiencia de las transacciones de datos al tiempo que reduce el consumo de energía en prácticamente cualquier aplicación de servidor de la empresa,” dijo Jim Elliott, vicepresidente de Samsung.

“Nuestras soluciones de memoria DDR3 de bajo consumo tendrá un papel fundamental en el desarrollo de la nueva generación “verde” de servidores.

Samsung comenzó a fabricar DRAM DDR3 de 40nm a principios de 2009.

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