Memorias PRAM y ZRAM | Memorias Flash
La memoria ZRAM debe su nombre a Zero Capacitor RAM, es decir, memoria sin capacitores. Recordemos que la memoria DRAM convencional utiliza un capacitor y un transistor por cada celda, que representa un bit.
La actual memoria SRAM, empleada en la caché, tiene seis transistores por cada celda. En cambio, la ZRAM utiliza tan sólo un transistor por celda, lo que dispara la densidad de celdas que podrían caber en el mismo espacio. Así, la memoria ZRAM duplica la densidad de la DRAM y sextuplica la de la SRAM.
Técnicamente, la ZRAM es mucho más rápida que la DRAM e incluso, que la SRAM. El problema radica en que al usar este tipo de RAM como memoria principal, los circuitos que se emplean poseen largas líneas por recorrer, que es lo que retrasaría la comunicación y la limitaría a unos 3 nanosegundos.
El menor tamaño favorece la densidad, el consumo y la posibilidad de usar mayores cantidades de memoria en espacios más reducidos. En el apartado de la memorias no volátiles, es decir, las que se utilizan para memorias Flash en cámaras digitales, celulares y reproductores portátiles, tenemos como gran promesa la memoria del tipo PRAM.
Cada celda de PRAM emplea un tipo de material especial, el mismo usado en discos regrabables como los CD-RW y los DVD-RW, que puede tener dos estados: cristalino y amorfo, los cuales cambian según se les aplique calor. El estado cristalino posee una resistencia prácticamente nula al paso de la corriente y representa el “1″, mientras que el estado amorfo impone una alta resistencia al paso de ésta, lo que se usa para indicar “0″.
Otro tipo de memoria que quiere imponerse como la sucesora de las actuales memorias NOR y NAND es la MRAM, la cual es una de las favoritas para consagrarse triunfadora. Cada celda de estas memorias utiliza una dupla de placas ferromagnéticas separadas por una fina capa de material aislante. Las ventajas de la MRAM son su menor consumo, su menor tiempo de respuesta, y mayor vida útil con respecto a la memoria Flash convencional.
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November 6th, 2009 a las 9:14 am
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