Intel Core 2 Duo E7300 – E7200, Microprosesadores Dual Core Gama Media

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El E7300 que probablemente será de interés de los que quieren un procesador que rinda decentemente sin tener un precio prohibitivo. Un procesador construido a 45nm con TDP de 65WFSB de 1066Mhz y una frecuencia de trabajo de 2.66Ghz, el cual además viene acompañado de rumores (que ya veremos si son ciertos) que hablan de un gran potencial de overclock.

El Intel Core 2 Duo E7300 pertenece a la familia de los Wolfdale-3M, esto quiere decir que es un Wolfdale (Penryn Dual Core) pero con memoria caché L2 reducida a 3MB compartidos y cuenta con un clock interno de 2,66 Ghz , a diferencia de los Wolfdale E8×00 que poseen 6MB de caché L2 compartido. Otra cosa que distinguen a estos Wolfdale-3M es que poseen un FSB de 1066Mhz a diferencia de sus contrapartes “superiores” de la serie 8000 que poseen un FSB de 1333Mhz. Mientras que el Intel Core 2 Duo E7200, cuenta con iguales caracteriticas pero con un clock interno de 2,53 Ghz.

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Tecnologías del Core 2 Duo E7300-E7200

 

1. Arquitectura de 45nm: Cuando Intel introdujo el refresco de su arquitectura Core a 65nm, que vino con los procesadores basados en el núcleo Penryn, incluyo una serie de optimizaciones que mejoraban aun más su anterior arquitectura. Así Penryn de partida migro a un proceso de manufactura de 45nm, pero no fue solo un encogimiento a nivel de transistores, sino que también fue una mejora y optimización eléctrica y electrónica a nivel de materiales microscópicos, esta técnica se denominó (a) “High-K y Metal Gate”, la cual reemplaza a la tecnología SOI (Silicon On Insulator) que utiliza “dióxido de silicio” y que la compañía utilizaba en sus anteriores procesadores. High-k es una combinación de nuevos materiales que reduce drásticamente las fugas eléctricas en los transistores e incrementa el desempeño de la tecnología de proceso de 45 nm. Intel utiliza así un nuevo material con una propiedad llamada High-K, para el componente “dieléctrico” (aislante) de la compuerta (gate) del transistor, y una nueva combinación de materiales metálicos para el electrodo de la compuerta del transistor.

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Los transistores son “switches” diminutos que procesan los unos “1″ y ceros “0″, la compuerta (gate) enciende (on) y apaga (off) el transistor y el componente dieléctrico (aislante) de la compuerta es un aislante situado por debajo de éste que lo separa del canal donde circula corriente. Como los transistores de 45 nm son más pequeños que la generación anterior, requieren menos energía para el encendido y apagado, reduciendo con ello la energía de switcheo activo en cerca de 30%. La combinación de las compuertas metálicas (metal gate) y el componente dieléctrico de compuerta high-k da como resultado transistores con fuga de corriente muy baja, lo que permite escalar en frecuencias más que trabajando con la tecnología anterior de Oxido de Silicio.

El uso de un proceso de fabricación más pequeño (los 45nm high-k y metal gate), se traduce en ventajas técnicas, como por ejemplo incrementar la densidad o numero de transistores que se pueden incluir en el núcleo de un procesador y así incorporar nuevas características y tecnologías, mejora el consumo, reducir la perdida o fugas eléctrica, permite una mayor tolerancia a altas frecuencias, disminuyen los costos de manufactura y a su vez se incrementa el rendimiento productivo de chips por wafer.

2.- Memoria Cache L2: El Core 2 Duo E7300 corresponde a una nueva familia de procesadores, cuyo primer modelo fue el Core 2 Duo E7200, estos procesadores corresponden a la linea económica debajo de la serie 8000; se basan en el mismo núcleo (Wolfdale), pero al ser procesadores destinado a ser más económicos recortan ciertas características: una de ellas es la memoria cache L2 o memoria de segundo nivel, la cual en E7300 es de 3MB, la mitad que los 6MB de la familia Core 2 Duo E8000. El cache L2 es una memoria de acceso rápido integrada en el procesador, adyancente a las únidades de cálculo. Su función es almacenar datos críticos de rápido acceso para mejorar el rendimiento en aplicaciones que requieren acceso directo a memoria. Su tamaño en los procesadores Intel a 45nm escala desde los 3MB hasta los 12MB.

3. Front Side Bus: El pronto a quedar obsoleto Front Side Bus (FSB), que es el canal de comunicación bidireccional del procesador con el chipset y el sistema de memoria, ha sido reducido a 1066Mhz en el E7300, en comparación a sus hermanos mayores Core 2 Duo E8600-E8500-E8400 que poseen un FSB de 1333Mhz.

4. Tecnología de 64-bit: En el 2005 Intel hizo su apresurado paso a la tecnología de 64-bit, algo apurado por su rival AMD, quien incluyo primero su tecnología de 64-bit en sus procesadores AMD Athlon 64, auque desde entonces la tecnología de Intel que se conocio en aquel entonces como Intel® Extended Memory 64 (Intel EM64T) ha ido madurando y mejorando, actualmente es todo un estándar en el sistema de computo de los procesadores tanto de AMD como de Intel, esta tecnología pionera en el segmento de los servidores y Workstation, mejora el rendimiento y capacidad de computo del procesador para aplicaciones optimizadas para esta tecnología, aunque para sacar el mejor provecho de esta tecnología es necesario el soporte apropiado a la tecnología tanto a nivel de hardware, software y sistema. El Core 2 Duo E7300 por consiguiente no es la excepción y como todos los procesadores de Intel en la actualidad soporta esta tecnología de cómputo.

5. Virtualizacion:A pesar de que la tecnología de virtualziacion esta presente en varios procesadores de gama alta de Intel, en la familia E7000 series, incluido es E7200 y E7300 no esta presente este soporte, y es una de las diferencias respecto a los otros procesadores. De todos modos al igual que las tecnologías de computo de 64-bit la tecnología de virtualizacion fue traída desde el segmento de lo sistemas Server y Workstation y su función primordial es simular ambientes operativos en plataformas compatibles con la tecnología, en Intel esta tecnología se desarrollo bajo el nombre clave de “Vanderpool” y fue anunciada para los procesadores Intel en el 2005.

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